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1.基于磁場(chǎng)的檢測(cè)方法(以電流互感器和霍爾傳感器為代表)具有良好的隔離和較低的功率損耗等優(yōu)點(diǎn),在電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)和大電流領(lǐng)域應(yīng)用較多,但它的缺點(diǎn)是體積較大,補(bǔ)償特性、線性以及溫度特性不理想。
2.分流器的方法高精度低阻值電阻器目前具有大功率和小體積的特點(diǎn),這種方法成本較低,精度較高。在汽車電子中用的較多。
以車窗控制為例,想要實(shí)現(xiàn)防夾的功能,通常是同時(shí)使用兩種方法進(jìn)行檢測(cè)的。
面對(duì)的車身電子控制系統(tǒng)的工作電流,一般都在在1-100A之間,當(dāng)然大部分負(fù)載都有Inrush電流,這也是我們需要注意的。今天需要涉及的還是分流器的方法。分流器的方法是在電流路徑中以串聯(lián)的方式插入一個(gè)低阻值的檢測(cè)電阻會(huì)形成一個(gè)小的電壓降,該壓降可被放大從而被當(dāng)作一個(gè)正比于電流的信號(hào)。這是我們檢測(cè)的原理。
當(dāng)然有兩種最為基本的拓?fù)洌?/span>
低邊電流檢測(cè)
將檢測(cè)電阻放在負(fù)載和電路地之間,那么該電阻上形成的壓降可以用簡(jiǎn)單的運(yùn)放進(jìn)行放大。
高邊檢測(cè)
將檢測(cè)電阻放在電源和負(fù)載之間。
如果更要細(xì)分,可將開關(guān)的位置一并考慮進(jìn)去,因?yàn)槲覀兠鎸?duì)的是感性負(fù)載。
對(duì)于低端檢測(cè)的運(yùn)放電路如圖所示:
這兩個(gè)圖都是原理級(jí)別的,實(shí)際上有很多問(wèn)題,值得我們?nèi)ニ伎肌?/span>
1.低端檢測(cè)的缺點(diǎn)
先看系統(tǒng)性的問(wèn)題,檢測(cè)電阻引入的可能會(huì)造成地線干擾,比如5毫歐電阻,在Inrush電流100A下,會(huì)到0.5V.事實(shí)上,一般檢測(cè)電源的地線與運(yùn)放的地線不同,有可能產(chǎn)生1V的地線偏移。而大部分AECQ的運(yùn)放如LM2902和LM2904的輸入電壓最大為-0.3V。-1V的電壓會(huì)讓運(yùn)放在幾秒內(nèi)燒毀。
事實(shí)上六中配置中的flying是需要慎重用的,如果產(chǎn)生了高壓和低壓的脈沖波形,同樣對(duì)運(yùn)放來(lái)說(shuō)是個(gè)災(zāi)難。
最主要的是,本來(lái)低端檢測(cè)就是低成本方案,如果添加TVS,BOM成本會(huì)很難看。解決的方法,在運(yùn)放輸入端上加入電容和肖特基二極管。
2.高端檢測(cè)的潛在風(fēng)險(xiǎn)
高端檢測(cè)的風(fēng)險(xiǎn)其實(shí)是很大的,首先是精度誤差:
電阻精度的誤差,運(yùn)放的輸入偏置電壓和輸入偏置電流的誤差。
最大的風(fēng)險(xiǎn)在于運(yùn)放的鉗位電壓,普通的MOS工藝*工作電壓為18V,高壓MOS為36V,再高需要采用特殊的工藝了。因此我們將運(yùn)放的輸入端至于電源上,將要直接面對(duì)電源線的干擾。傳統(tǒng)的保護(hù)汽車電源TVS,能夠在40V以下完全開啟,因此我們需要選擇特殊的TVS。而TVS開啟是需要區(qū)間的,電壓的前移意味著靜態(tài)電流的增大。
屬于的電源與運(yùn)放的電源不是同一個(gè),在潛入路徑電子模塊熔絲取出,而另一路電源沒(méi)取出的時(shí)候,運(yùn)放直接燒毀。如果采取二極管并聯(lián)一起供電,則需要對(duì)運(yùn)放的電源端采取TVS保護(hù),問(wèn)題同上面是一樣的。
因此運(yùn)放用起來(lái)不容易。而且成本也是一個(gè)很大的問(wèn)題,LT有很多檢測(cè)電流的運(yùn)放,成本較高。一個(gè)電阻+運(yùn)放的配置還不如直接加電流傳感器。
本文由整車大電流檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室國(guó)測(cè)航天收集自電子工程世界,僅供學(xué)習(xí)!